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NP86N04EHE-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=43A) •Lowinputcapacitance Ciss=5900pF

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NP86N04EHE-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=43A) •Lowinputcapacitance Ciss=5900pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    NP86N04EHE-E2-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
24+
TO-263
8866
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NEC
6000
面议
19
TO-263
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TECCOR/LITT
23+
TO-220
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NEC
TO-263
22+
6000
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NEC
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TO-263
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NEC
22+
TO-263
25000
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NEC
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VB
21+
T0-220
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RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
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RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
9000
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
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更多NP86N04EHE-E2-AY供应商 更新时间2025-6-16 15:30:00