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NP86N04MHE-S18-AY	文件：224.12 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=43A) •Lowinputcapacitance Ciss=5900pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP86N04MHE-S18-AY	文件：436.87 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=43A) •Lowinputcapacitance Ciss=5900pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP86N04MHE-S18-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=43A) •Lowinputcapacitance Ciss=5900pF

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

NP86N04MHE-S18-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.4mΩMAX.(VGS=10V,ID=43A) •Lowinputcapacitance Ciss=5900pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
NP86N04MHE-S18-AY
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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更多NP86N04MHE-S18-AY供应商更新时间2025-7-23 11:01:00

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