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NP88N04MHE-S18-AY	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N04MHE-S18-AY	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pF

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

NP88N04MHE-S18-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7300pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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详细参数

型号：
NP88N04MHE-S18-AY
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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