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NP88N055DHE	文件：207.82 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFT	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N055DHE	文件：294.3 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N055DHE	文件：241.82 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=88A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.3mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP88N055DHE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive;	RenesasRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	Renesas
NP88N055DHE-S12-AY	文件：207.82 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFT	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N055DHE-S12-AY	文件：294.3 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP88N055DHE-S12-AYNote1,2	文件：294.88 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

技术参数

Production Status：
EOL
ID (A)：
88
Nch/Pch：
N
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
5.3
Automotive：
YES
Application：
Automotive Use
VDSS (V) max.：
55

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NP88N055DHE	NEC	24+	TO-262	8866		询价
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更多NP88N055DHE供应商更新时间2025-7-28 15:30:00

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