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NP88N04KHE	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 44 A) • Low input capacitance Ciss = 7300 pF 文件：227.48 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP88N04KHE	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 44 A) • Low input capacitance Ciss = 7300 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：313.85 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP88N04KHE	文件：306.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 88A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：306.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP88N04KHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP88N04KHE-E1-AY	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 44 A) • Low input capacitance Ciss = 7300 pF 文件：227.48 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP88N04KHE-E1-AY	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 44 A) • Low input capacitance Ciss = 7300 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：313.85 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP88N04KHE-E2-AY	文件：313.85 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 44 A) • Low input capacitance Ciss = 7300 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：313.85 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP88N04KHE-E2-AY	文件：227.48 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 4.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 44 A) • Low input capacitance Ciss = 7300 pF 文件：227.48 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP88N04KHE-E1-AYNote1	文件：314.44 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：314.44 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP88N04KHE-E2-AYNote1	文件：314.44 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：314.44 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

Nch/Pch：
Nch
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
40
ID (A)：
88
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
4.3
应用：
Automotive Use
系列名称：
NP Series

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