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NP88N055EHE-E2-AY	文件：294.3 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 5.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 44 A) • Low input capacitance Ciss = 7600 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：294.3 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP88N055EHE-E2-AY	文件：207.82 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 5.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 44 A) • Low input capacitance Ciss = 7600 pF T 文件：207.82 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP88N055EHE-E2-AYNote1,2	文件：294.88 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：294.88 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP9926ASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

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