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NP88N055MHE-S18-AY	文件：207.82 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFT	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP88N055MHE-S18-AY	文件：294.3 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFT

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=5.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=44A) •Lowinputcapacitance Ciss=7600pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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详细参数

型号：
NP88N055MHE-S18-AY
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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