NP82N10PUF资料使用说明书批发供应瑞萨-114ic电子网

首页 >NP82N10PUF>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
NP82N10PUF	文件：251.32 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP82N10PUFisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •LowCiss:Ciss=2900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotivea	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N10PUF	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N10PUF-E1-AY	文件：251.32 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP82N10PUFisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •LowCiss:Ciss=2900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotivea	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N10PUF-E2-AY	文件：251.32 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description TheNP82N10PUFisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance ⎯RDS(on)=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) •LowCiss:Ciss=2900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotivea	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N10PUF_15	文件：251.32 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP82N10PUF-E1-AY	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
82N10	文件：280.01 Kbytes Page：13 Pages	VOLTAGEDETECTORS	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
GLU82N10	文件：135.45 Kbytes Page：12 Pages	SURFCOILSMTINDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
GLX82N10	文件：135.45 Kbytes Page：12 Pages	SURFCOILSMTINDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
HRA82N10K	文件：883.09 Kbytes Page：7 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRP82N10K	文件：878.55 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRS82N10K	文件：923.6 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRW82N10K	文件：884.13 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

详细参数

型号：
NP82N10PUF
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市百视威讯电子科技有限公司	NP82N10PUF		23+	N/A	85800	正品授权货源可靠	询价
深圳兆威电子有限公司	NP82N10PUF	VB	2019	TO-263	55000	绝对原装正品假一罚十!	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NP82N10PUF	R	23+	TO-263	37650	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NP82N10PUF	NEXPERIA/安世	23+	SOT753	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	NP82N10PUF	R	23+	TO-263	10000	公司只做原装正品	询价
京海半导体(深圳)有限公司	NP82N10PUF	RENESAS/瑞萨	21+	TO-263	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NP82N10PUF	RENESAS/瑞萨	2022+	TO-263	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	NP82N10PUF		VB	TO-263	68900	原包原标签100%进口原装常备现货!	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	NP82N10PUF	R	23+	TO-263	6000	原装正品，支持实单	询价
无锡固电半导体股份有限公司	NP82N10PUF	isc	2024	D2PAK/TO-263	300	国产品牌isc,可替代原装	询价

更多NP82N10PUF供应商更新时间2024-5-25 11:36:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Fax：+86-755-8246-9263-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号