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NP82N055MLE	文件：226.05 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 8.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) RDS(on)2 = 11 mΩ MAX. (VGS = 5.0 V, ID 文件：226.05 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP82N055MLE	文件：431.49 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 8.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) RDS(on)2 = 11 mΩ MAX. (VGS = 5.0 V, ID = 41 A) RDS(on)3 = 12 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 41 A) • Low input capacitance Ciss = 4 文件：431.49 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP82N055MLE	文件：333.97 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 82A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.4mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：333.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP82N055MLE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP82N055MLE-S18-AY	文件：431.49 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 8.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) RDS(on)2 = 11 mΩ MAX. (VGS = 5.0 V, ID = 41 A) RDS(on)3 = 12 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 41 A) • Low input capacitance Ciss = 4 文件：431.49 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP82N055MLE-S18-AY	文件：226.05 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 8.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) RDS(on)2 = 11 mΩ MAX. (VGS = 5.0 V, ID 文件：226.05 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP82N055MLE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
MP-25K/TO-220
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
55
ID (A)：
82
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
12
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
8.4
Ciss (pF) 典型值：
4400
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
163
应用：
Automotive Use
安装类型：
Through Hole
系列名称：
NP Series
QG (nC) 典型值：
80

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