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NP82N055MLE-S18-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

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厂商型号

NP82N055MLE-S18-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

431.49 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-31 11:26:00

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NP82N055MLE-S18-AY规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 8.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

RDS(on)2 = 11 mΩ MAX. (VGS = 5.0 V, ID = 41 A)

RDS(on)3 = 12 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 41 A)

• Low input capacitance

Ciss = 4400 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

产品属性

  • 型号:

    NP82N055MLE-S18-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
24+
TO263
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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NEC
6000
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