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NP82N055EHE-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) • Low input capacitance Ciss = 3500 pF TYP. • Built-in gate protection diode

文件:421.05 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

NP82N055EHE-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件:214 Kbytes 页数:10 Pages

NEC

瑞萨

NP9926ASR

SOP-8

南麟

NPA-100B-015A

14-SOIC 模块

Amphenol Advanced Sensors

上传:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

NPA-500B-005G

14-SMD 模块

Amphenol Advanced Sensors

上传:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

详细参数

  • 型号:

    NP82N055EHE-E2-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
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NEC
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