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NP84N055KLE-E1-AY	文件：224.36 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.7mΩMAX.(VGS=5V,ID=	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP84N055KLE-E1-AY	文件：429.84 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.7mΩMAX.(VGS=5V,ID=42A) RDS(on)3=9.4mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=6	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP84N055KLE-E1-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.7mΩMAX.(VGS=5V,ID=

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC

NP84N055KLE-E1-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.7mΩMAX.(VGS=5V,ID=42A) RDS(on)3=9.4mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=6

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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详细参数

型号：
NP84N055KLE-E1-AY
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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更多NP84N055KLE-E1-AY供应商更新时间2024-6-6 10:20:00

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