NP82N055KHE数据手册供应代理瑞萨NEC-114ic电子网

首页 >NP82N055KHE>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
NP82N055KHE	文件：77.36 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING SWITCHING DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) • Low input capacitance Ciss = 3500 pF 文件：77.36 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP82N055KHE	文件：421.05 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) • Low input capacitance Ciss = 3500 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：421.05 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP82N055KHE	文件：306.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 82A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：306.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP82N055KHE	文件：214 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：214 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP82N055KHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP82N055KHE-E1-AY	文件：421.05 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) • Low input capacitance Ciss = 3500 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：421.05 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP82N055KHE-E2-AY	文件：421.05 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) • Low input capacitance Ciss = 3500 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：421.05 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP82N055KHE-E1-AY	文件：214 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：214 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP82N055KHE-E2-AY	文件：214 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：214 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP82N055KHE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

ID (A)：
82
Nch/Pch：
Nch
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
0.0086
Automotive：
YES
Application：
Automotive Use
VDSS (V) max.：
55
Series Name：
NP Series

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NP82N055KHE	NEC	24+	TO-263	8866		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NP82N055KHE	TECCOR/LITT	23+	TO-220	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NP82N055KHE	NEC	2022+	TO-263	12888	原厂代理终端免费提供样品	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NP82N055KHE-E1-AZ		24+	N/A	56000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市赛芯源科技有限公司	NP82N055KLE	NEC	19+	TO-263	32000	原装正品,现货特价	询价
京海半导体(深圳)有限公司	NP82N055KLE	NEC	25+	TO-263	10000	原装现货假一罚十	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NP82N055KLE	NEC	23+	TO-263	33000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司	NP82N055KLE	NEC	22+	TO-263	12245	现货,原厂原装假一罚十!	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NP82N055KLE	NEC	25+	TO-263	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市鹏和科技有限公司	NP82N055MHE	R	24+	T0-220	5000	全现原装公司现货	询价

更多NP82N055KHE供应商更新时间2026-2-1 15:30:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号