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NP82P04PLF-E1-AY	文件：182.52 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP82P04PLFisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−41A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−41A) •Lowinputcapacitance Cis	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP82P04PLF-E1-AY	文件：374.73 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP82P04PLFisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−41A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−41A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP82P04PLF-E1-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

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文件：374.73 Kbytes

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheNP82P04PLFisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=8mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−41A) RDS(on)2=12mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−41A)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
NP82P04PLF-E1-AY
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NP82W	HUBBELLWIRINGDEVICES	23+		33000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳良洲科技有限公司	NP8365Q/ZA	MEDIATEK	两年内	NA	1	实单价格可谈	询价
深圳市纳睿斯电子科技有限公司	NP8368Q/CZA	MEDIATEK	25+		20000	原装现货,可追溯原厂渠道	询价
深圳市雄鸿达伟业科技有限公司	NP8368Q1829-CZAMWH	MAXIM	23+		6000	现货有价可谈	询价
深圳市一线半导体有限公司	NP83C266BDRNA	PHI	24+	DIP	3000	公司存货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	NP83C266BDRNA	恩XP	23+	DIP42	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市近平电子有限公司	NP83C266BDRNA	PHI	6000	面议	19	DIP	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NP83C266BDRNA	PHI	23+	DIP42	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	NP83C266BDRNA	PHI	21+	DIP42	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市胜彬电子有限公司	NP83C266BDRNA	TOSHIBA	22+	DIP	3000	原装正品,支持实单	询价

更多NP82P04PLF-E1-AY供应商更新时间2025-7-28 15:59:00

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