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NP84N055MLE	文件：224.36 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) RDS(on)2 = 8.7 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 文件：224.36 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP84N055MLE	文件：429.84 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) RDS(on)2 = 8.7 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 42 A) RDS(on)3 = 9.4 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 42 A) • Low input capacitance Ciss = 6 文件：429.84 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP84N055MLE	文件：334.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 84A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：334.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP84N055MLE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP84N055MLE-S18-AY	文件：429.84 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) RDS(on)2 = 8.7 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 42 A) RDS(on)3 = 9.4 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 42 A) • Low input capacitance Ciss = 6 文件：429.84 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP84N055MLE-S18-AY	文件：224.36 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 42 A) RDS(on)2 = 8.7 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 文件：224.36 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP84N055MLE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
MP-25K/TO-220
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
55
ID (A)：
84
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
9.4
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
7
Ciss (pF) 典型值：
6130
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
200
应用：
Automotive Use
安装类型：
Through Hole
系列名称：
NP Series
QG (nC) 典型值：
120

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