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|---|---|---|---|---|
NP80N055NDG-S18-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N055MDG,NP80N055NDG,andNP80N055PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N055MDG,NP80N055NDG RDS(on)1=6.9mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
详细参数
- 型号：
NP80N055NDG-S18-AY
- 功能描述：
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas Electronics America |
2022+ |
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-26 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
RENESAS-瑞萨 |
24+25+/26+27+ |
TO-262-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
TO-262 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
isc |
2024 |
I2PAK/TO-262 |
225 |
国产品牌isc,可替代原装 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-262 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
询价 | ||
RENESASELECTRONICSAMERICA |
TO-262 |
33000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
23+ |
N/A |
45880 |
正品授权货源可靠 |
询价 | |||
NEC |
23+ |
TO-263 |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
询价 |
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