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NP80N055NDG-S18-AYNote	文件：354.48 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N055NDG-S18-AY	文件：354.48 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N055MDG,NP80N055NDG,andNP80N055PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N055MDG,NP80N055NDG RDS(on)1=6.9mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP80N055MDG,NP80N055NDG,andNP80N055PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N055MDG,NP80N055NDG RDS(on)1=6.9mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A)

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更多NP80N055NDG-S18-AYNOTE供应商更新时间2024-6-19 14:08:00

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