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NP80N06PLG-E1B-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP80N06MLG, NP80N06NLG, and NP80N06PLG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Built-in gate protection diode • Super low on-state resistance - NP80N06MLG, NP80N06NLG RDS(on)1 = 8.6 mΩ MAX

文件:355.07 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

NP80N06PLG-E1B-AY

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.05525 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NP80N06PLG-E1B-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件:355.07 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

NP9926ASR

SOP-8

南麟

NPA-100B-015A

14-SOIC 模块

Amphenol Advanced Sensors

上传:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

详细参数

  • 型号:

    NP80N06PLG-E1B-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Renesas Electronics America
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TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片
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