选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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RENESAS(瑞萨)/IDTTO2203 |
6000 |
23+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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RENESAS(瑞萨)/IDTTO2203 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO220 |
68900 |
VB |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VBTO220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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RENESAS-瑞萨TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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RENESAS/瑞萨 |
33000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
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RENESAS/瑞萨TO-220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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N/A |
90550 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
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VBTO220 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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NP82N04MUG-S18-AY图片
NP82N04MUG-S18-AY中文资料Alldatasheet PDF
更多NP82N04MUG-S18-AY功能描述:MOSFET N-CH TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件