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NP80N055KLE	文件：225.97 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 13 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 4 文件：225.97 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N055KLE	文件：312.56 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 13 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A) RDS(on)3 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2900 文件：312.56 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N055KLE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N055KLE	文件：225.97 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：225.97 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N055KLE-E1-AY	文件：225.97 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 13 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 4 文件：225.97 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N055KLE-E1-AY	文件：312.56 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 13 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A) RDS(on)3 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2900 文件：312.56 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N055KLE-E2-AY	文件：312.56 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 13 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A) RDS(on)3 = 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2900 文件：312.56 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N055KLE-E2-AY	文件：225.97 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 13 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 4 文件：225.97 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N055KLE-E1-AY	文件：225.97 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：225.97 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N055KLE-E2-AY	文件：225.97 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：225.97 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC

技术参数

RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
11
Downloadable：
SPICE
Ciss (pF) typ.：
2900
Package Type：
MP-25ZK/TO-263
Vgs (off) (V) max.：
2.5
Nch/Pch：
Nch
VGSS (V)：
20
Number of Channels：
Single
Pch (W)：
120
Automotive：
YES
Application：
Automotive Use
VDSS (V) max.：
55
Mounting Type：
Surface Mount
ID (A)：
80
Series Name：
NP Series
RDS (ON) (mohm) max. @4V or 4.5V：
15
QG (nC) typ.：
50

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