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NP80N04PDG-E2B-AY	文件：357.34 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP80N04MDG, NP80N04NDG, and NP80N04PDG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Super low on-state resistance - NP80N04MDG, NP80N04NDG RDS(on)1 = 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) R 文件：357.34 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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