首页 >NP80N04PUG-E1B-AY>规格书列表

零件型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

NP80N04PUG-E1B-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP80N04NUGandNP80N04PUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N04NUG RDS(on)=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) -NP80N04PUG RDS(on

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP80N04PUG-E1B-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP9926ASR

南麟
SOP-8

南麟

NPA-100B-015A

Amphenol Advanced Sensors
14-SOIC 模块

Amphenol Advanced Sensors

相关企业:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

NPA-500B-005G

Amphenol Advanced Sensors
14-SMD 模块

Amphenol Advanced Sensors

相关企业:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

详细参数

  • 型号:

    NP80N04PUG-E1B-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Renesas Electronics America
2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
R
25+
TO-263
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
NEC
24+
TO-262
5000
只做原装公司现货
询价
NEC
21+
TO-262
10000
原装现货假一罚十
询价
NEC
24+
NA/
2000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
NEC
24+
TO-220AB
8866
询价
NEC
6000
面议
19
TO-220AB
询价
R
TO-220
22+
6000
十年配单,只做原装
询价
R
23+
TO-220
6000
原装正品,支持实单
询价
R
22+
TO-220
25000
只做原装进口现货,专注配单
询价
更多NP80N04PUG-E1B-AY供应商 更新时间2025-7-30 15:01:00