首页>NP80N04PUG-E1B-AY>规格书详情

NP80N04PUG-E1B-AY中文资料PDF规格书

NP80N04PUG-E1B-AY
厂商型号

NP80N04PUG-E1B-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

345.82 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2024-6-21 18:45:00

NP80N04PUG-E1B-AY规格书详情

DESCRIPTION

The NP80N04NUG and NP80N04PUG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

• Non logic level

• Super low on-state resistance

- NP80N04NUG

RDS(on) = 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

- NP80N04PUG

RDS(on) = 4.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

• High current rating

ID(DC) = ±80 A

• Low input capacitance

Ciss = 4900 pF TYP.

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

产品属性

  • 型号:

    NP80N04PUG-E1B-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
21+
TO220
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
NEC
24+23+
TO-262
12580
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品
询价
NEC
23+
TO-252
9500
专业优势供应
询价
NEC
23+
NA/
2000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
R
23+
TO-220
6000
原装正品,支持实单
询价
NEC
6000
面议
19
TO-220AB
询价
VBsemi
2229+
TO220
4550
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
询价
NEC
TO-262
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
询价
RENESAS-瑞萨
24+25+/26+27+
TO-263-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
VBsemi
24+
TO220
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
询价