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NP80N04PDG-E1B-AY中文资料PDF规格书

NP80N04PDG-E1B-AY
厂商型号

NP80N04PDG-E1B-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

357.34 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 16:47:00

NP80N04PDG-E1B-AY规格书详情

DESCRIPTION

The NP80N04MDG, NP80N04NDG, and NP80N04PDG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

• Logic level

• Super low on-state resistance

- NP80N04MDG, NP80N04NDG

RDS(on)1 = 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)

- NP80N04PDG

RDS(on)1 = 4.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 8.7 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)

• High current rating

ID(DC) = ±80 A

• Low input capacitance

Ciss = 4600 pF TYP.

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

产品属性

  • 型号:

    NP80N04PDG-E1B-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 40V 80A T/R

  • 功能描述:

    SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO263ZP - Tape and Reel

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 80A MP-25K

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
R
23+
TO263
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