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NP80N055KHE	文件：213.3 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2400 pF T 文件：213.3 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N055KHE	文件：299.68 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2400 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：299.68 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N055KHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N055KHE-E1-AY	文件：213.3 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2400 pF T 文件：213.3 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N055KHE-E1-AY	文件：299.68 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2400 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：299.68 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N055KHE-E2-AY	文件：213.3 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2400 pF T 文件：213.3 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N055KHE-E2-AY	文件：299.68 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 11 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2400 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：299.68 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N055KHE-E1-AYNote1	文件：300.26 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：300.26 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N055KHE-E2-AYNote1	文件：300.26 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：300.26 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N055KHE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Ciss (pF) typ.：
2400
Downloadable：
SPICE
Vgs (off) (V) max.：
4
Package Type：
MP-25ZK/TO-263
VGSS (V)：
20
Nch/Pch：
Nch
Pch (W)：
120
Number of Channels：
Single
Application：
Automotive Use
Automotive：
YES
Mounting Type：
Surface Mount
VDSS (V) max.：
55
Series Name：
NP Series
ID (A)：
80
QG (nC) typ.：
40
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
11

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