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NP80N055DHE	文件：213.3 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFT	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N055DHE	文件：299.68 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N055DHE-S12-AY	文件：213.3 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFT	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N055DHE-S12-AY	文件：299.68 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N055DHE-S12-AYNote1,	文件：300.26 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N055DLE	文件：312.56 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=13mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2900	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N055DLE	文件：225.97 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=13mΩMAX.(VGS=5V,ID=4	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N055DLE	文件：79.49 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N055DLE	文件：225.97 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N055EHE	文件：213.3 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFT	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
NP80N055DHE
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-262AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市近平电子有限公司	NP80N055DHE	NEC	6000	面议	19	TO-262	询价
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