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NP80N055DHE-S12-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFT

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NP80N055DHE-S12-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=11mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2400pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP80N055DHE-S12-AYNote1,

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    NP80N055DHE-S12-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
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更多NP80N055DHE-S12-AY供应商 更新时间2025-7-27 15:30:00