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NP80N04PUG	文件：345.82 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04NUGandNP80N04PUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N04NUG RDS(on)=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) -NP80N04PUG RDS(on	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04PUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04PUG-E1B-AY	文件：345.82 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04NUGandNP80N04PUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N04NUG RDS(on)=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) -NP80N04PUG RDS(on	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04PUG-E2B-AY	文件：345.82 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04NUGandNP80N04PUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N04NUG RDS(on)=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) -NP80N04PUG RDS(on	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04PUG-E1B-AYNote	文件：345.82 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04PUG-E2B-AY	文件：1.07354 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP80N04PUG-E2B-AYNote	文件：345.82 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
NP80N04PUG
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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