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NP80N04PDG	文件：357.34 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MDG,NP80N04NDG,andNP80N04PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N04MDG,NP80N04NDG RDS(on)1=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) R	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04PDG	文件：1.07376 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP80N04PDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04PDG-E1B-AY	文件：357.34 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MDG,NP80N04NDG,andNP80N04PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N04MDG,NP80N04NDG RDS(on)1=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) R	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04PDG-E2B-AY	文件：357.34 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04MDG,NP80N04NDG,andNP80N04PDGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Logiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N04MDG,NP80N04NDG RDS(on)1=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) R	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
80N04	文件：1.26306 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel4-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CJP80N04	文件：1.35541 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJP80N04	文件：1.45351 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
HM80N04K	文件：756.79 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
LMAK80N04	文件：900.34 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NP80N04CHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04CHE	文件：968.7 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel40-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NP80N04CHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP80N04DHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP80N04DHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04EHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04EHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP80N04KHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP80N04KHE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N04KHE	文件：1.07393 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
NP80N04PDG
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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更多NP80N04PDG供应商更新时间2024-5-24 11:36:00

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