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HM80N04K	文件：756.79 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：756.79 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM80N04K	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
LMAK80N04	文件：900.34 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：900.34 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
NP80N04CHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2200 pF 文件：212.96 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N04CHE	文件：968.7 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：968.7 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

封装（Package）：
TO-252
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
40.00V
ID(Max)ID(A)：
80.00A
IDM：
350.00A
VTH(Typ)：
1.80V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
5.30mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
6.50mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
BSC80N04/SUP80N04/SUD80N04

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更多HM80N04K供应商更新时间2025-12-10 11:00:00

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