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NP80N04EHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2200 pF 文件：212.96 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N04EHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2200 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：299.24 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N04EHE-E1-AY	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2200 pF 文件：212.96 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N04EHE-E1-AY	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2200 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：299.24 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N04EHE-E2-AY	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2200 pF 文件：212.96 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N04EHE-E2-AY	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2200 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：299.24 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N04EHE_15	文件：299.83 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：299.83 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N04EHE-E1-AYNote1,2	文件：299.83 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：299.83 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N04EHE-E2-AYNote1,2	文件：299.83 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：299.83 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N04EHE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

ID (A)：
80
Nch/Pch：
Nch
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
8
Automotive：
YES
Application：
Automotive Use
VDSS (V) max.：
40
Series Name：
NP Series

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	NP80N04EHE	NEC	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	NP80N04EHE	NEC	25+	SOT-263	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市博中泰实业有限公司	NP80N04EHE	NEC	24+	TO-263	60000	全新原装现货	询价
深圳市创盛芯科技有限公司	NP80N04EHE	NEC	25+	TO-263	2500	全新原装正品支持含税	询价
深圳市一线半导体有限公司	NP80N04KHE	NEC	24+	TO-263	8866		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NP80N04KHE	NEC	TO-263	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市晨豪科技有限公司	NP80N04KHE	RENESAS/瑞萨	23+	TO-263	89630	当天发货全新原装现货	询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NP80N04KHE	NEC	25+	TO-263	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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