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NP80N04EHE-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pF

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瑞萨瑞萨科技有限公司

NP80N04EHE-E2-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=8.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2200pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

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NP80N04EHE-E2-AYNote1,2

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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详细参数

  • 型号:

    NP80N04EHE-E2-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
08+(pbfree)
TO-263
8866
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NEC
6000
面议
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TO-263
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VBsemi/台湾微碧
TO263
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更多NP80N04EHE-E2-AY供应商 更新时间2024-5-26 15:30:00