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NP80N04NDG-S18-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP80N04MDG, NP80N04NDG, and NP80N04PDG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Super low on-state resistance - NP80N04MDG, NP80N04NDG RDS(on)1 = 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) R

文件:357.34 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

NPA-100B-015A

14-SOIC 模块

Amphenol Advanced Sensors

上传:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

NPA-500B-005G

14-SMD 模块

Amphenol Advanced Sensors

上传:深圳市汇创佳电子科技有限公司

Amphenol Advanced Sensors

NPB02SVAN-RC

BULK

NPC-100T

DIP

Amphenol/安费诺

详细参数

  • 型号:

    NP80N04NDG-S18-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 40V 80A Tube

  • 功能描述:

    SINGLE MOSFET, NCH, 40V, TO262 - Rail/Tube

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

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更多NP80N04NDG-S18-AY供应商 更新时间2026-10-10 14:02:00