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NP80N04PLG-E1B-AY	文件：356.14 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP80N04MLG, NP80N04NLG, and NP80N04PLG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Logic level • Built-in gate protection diode • Super low on-state resistance - NP80N04MLG, NP80N04NLG RDS(on)1 = 4.8 mΩ MAX 文件：356.14 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N04PLG-E1B-AYNote	文件：356.14 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：356.14 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPA-500B-005G	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SMD 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

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