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NP80N04MHE-S18-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2200 pF

文件:212.96 Kbytes 页数:10 Pages

NEC

瑞萨

NP80N04MHE-S18-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2200 pF TYP. • Built-in gate protection diode

文件:299.24 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

NP80N04MHE-S18-AY

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

文件:969.52 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NP80N04MHE-S18-AYNote1

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件:299.83 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

详细参数

  • 型号:

    NP80N04MHE-S18-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 80A TO-220

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
R
22+
TO-220
6000
十年配单,只做原装
询价
RENESAS/瑞萨
23+
33000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
R
25+
TO-TO-220
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220
89630
当天发货全新原装现货
询价
RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
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RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
9000
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优
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VB
21+
TO220
10000
原装现货假一罚十
询价
RENESAS(瑞萨)/IDT
24+
TO220
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
24+
N/A
57000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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APEC/富鼎
23+
TO-252
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
询价
更多NP80N04MHE-S18-AY供应商 更新时间2025-10-13 14:04:00