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NP80N04NUG-S18-AY	文件：345.82 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP80N04NUG and NP80N04PUG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Non logic level • Super low on-state resistance - NP80N04NUG RDS(on) = 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) - NP80N04PUG RDS(on 文件：345.82 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N04NUG-S18-AYNote	文件：345.82 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：345.82 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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NPA-100B-015A	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SOIC 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors
NPA-500B-005G	文件：0 bytes Page：0 Pages	14-SMD 模块	Amphenol Advanced Sensors 上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司	Amphenol Advanced Sensors

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更多NP80N04NUG-S18-AY供应商更新时间2025-11-30 10:16:00