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NP80N04NUG-S18-AY	文件：345.82 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP80N04NUGandNP80N04PUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N04NUG RDS(on)=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) -NP80N04PUG RDS(on	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP80N04NUGandNP80N04PUGareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Nonlogiclevel •Superlowon-stateresistance -NP80N04NUG RDS(on)=4.8mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) -NP80N04PUG RDS(on

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更多NP80N04NUG-S18-AYNOTE供应商更新时间2025-5-12 11:00:00

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