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NP80N04DHE	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2200 pF 文件：212.96 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N04DHE	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2200 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：299.24 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N04DHE-S12-AY	文件：299.24 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2200 pF TYP. • Built-in gate protection diode 文件：299.24 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N04DHE-S12-AY	文件：212.96 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. FEATURES • Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on) = 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 2200 pF 文件：212.96 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N04DHE-S12-AYNote1,	文件：299.83 Kbytes Page：12 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：299.83 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N04DHE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

ID (A)：
80
Nch/Pch：
N
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
8
Automotive：
YES
Application：
Automotive Use
VDSS (V) max.：
40
Series Name：
NP Series

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