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NP80N03NLE	文件：429.64 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel Temperature 175 degree rated • Super Low on-state Resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A) RDS(on)3 = 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 26 文件：429.64 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N03NLE	文件：224.27 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：224.27 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N03NLE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N03NLE-S18-AY	文件：429.64 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET FEATURES • Channel Temperature 175 degree rated • Super Low on-state Resistance RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A) RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A) RDS(on)3 = 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A) • Low input capacitance Ciss = 26 文件：429.64 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP80N03NLE-S18-AY	文件：224.27 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：224.27 Kbytes 页数：10 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP80N03NLE	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
MP-25SK/TO-262
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
30
ID (A)：
80
RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V：
11
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
7
Ciss (pF) 典型值：
2600
Vgs (off) (V) 最大值：
2.5
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
120
应用：
Automotive Use
安装类型：
Through Hole
系列名称：
NP Series
QG (nC) 典型值：
48

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市芯皇电子有限公司	NP80N03NLE	RENESAS/瑞萨	22+	TO-262	9000	专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优	询价
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