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NP80N03KDE-E1-AY
厂商型号

NP80N03KDE-E1-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件大小

219.37 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
NEC
数据手册

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更新时间

2025-8-2 23:00:00

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NP80N03KDE-E1-AY规格书详情

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

• Channel Temperature 175 degree rated

• Super Low on-state Resistance

RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 40 A)

RDS(on)3 = 11 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 40 A)

• Low input capacitance

Ciss = 2600 pF TYP.

产品属性

  • 型号:

    NP80N03KDE-E1-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
24+
TO220
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
NEC
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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VBsemi
21+
TO263
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
12500
瑞萨全系列在售,终端可出样品
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VBsemi
24+
TO263
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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VBsemi
24+
TO263
5000
全新原装正品,现货销售
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NEC
24+
TO-263
8866
询价
NEC
23+
SOT-263
33000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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NEC
22+
TO-263
25000
只做原装进口现货,专注配单
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NEC
TO-263
22+
6000
十年配单,只做原装
询价