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NP80N03KDE-E2-AY	文件：219.37 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N03KDE-E2-AY	文件：297.39 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NP80N03KDE-E2-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

NP80N03KDE-E2-AY

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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
NP80N03KDE-E2-AY
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NP80N03KLE	NEC	24+	TO-263	8866		询价
深圳市近平电子有限公司	NP80N03KLE	NEC	6000	面议	19	TO-263	询价
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更多NP80N03KDE-E2-AY供应商更新时间2025-7-24 10:02:00

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