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NP80N03NDE	文件：219.37 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP80N03NDE	文件：297.39 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N03NDE	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N03NDE-S18-AY	文件：219.37 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP80N03NDE-S18-AY	文件：297.39 Kbytes Page：12 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
80N03	文件：1.00146 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
80N03J	文件：994.08 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP80N03GP-HF	文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP80N03GS-HF	文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
CJP80N03	文件：996.62 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJP80N03	文件：1.09793 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CJU80N03	文件：993.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CJU80N03	文件：1.12379 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
EMB80N03J	文件：214.58 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)80mΩ ID2.5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FIR80N03LG	文件：5.29327 Mbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
GE80N03	文件：304.3 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GE80N03	文件：300.54 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GI80N03	文件：246.29 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GJ80N03	文件：251.04 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
GU80N03	文件：331.96 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM

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详细参数

型号：
NP80N03NDE
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NP80N03NDE供应商更新时间2024-5-26 15:22:00

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