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NGTB20N120IHTG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 20A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
20N120C	文件：820.86 Kbytes Page：9 Pages	Generalpurposeinverters	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.	JSMC
BRG20N120D	文件：769.26 Kbytes Page：6 Pages	Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
FGA20N120FTD	文件：721.12 Kbytes Page：9 Pages	1200V,20ATrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA20N120FTDTU	文件：721.12 Kbytes Page：9 Pages	1200V,20ATrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G20N120	文件：167.55 Kbytes Page：5 Pages	34A,1200VN-ChannelIGBT Description TheHGTG20N120E2isaMOSgated,highvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvari	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
G20N120	文件：93.09 Kbytes Page：7 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
G20N120	文件：97.79 Kbytes Page：8 Pages	45A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 45A,1200V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETs andbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlos	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
G20N120	文件：83.76 Kbytes Page：7 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG20N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETa	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
G20N120	文件：121.05 Kbytes Page：8 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGH20N120A	文件：1.01653 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementInsulatedGateBipolarTransistor Features •Lowsaturationvoltage,Vce(on)(typ)=2.3V@Vge=15V •Highinputimpedance •Fieldstoptrenchtechnologyoffersuperior conductionandswitchingperformances, •Highspeedswitching Applications •InductionheatingandMicrowaveoven •Softswitchingapplications	HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件	Huashan
HGTG20N120	文件：167.55 Kbytes Page：5 Pages	34A,1200VN-ChannelIGBT Description TheHGTG20N120E2isaMOSgated,highvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvari	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HGTG20N120CN	文件：83.76 Kbytes Page：7 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG20N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETa	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HGTG20N120CND	文件：93.09 Kbytes Page：7 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HGTG20N120CND	文件：121.05 Kbytes Page：8 Pages	63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 63A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG20N120CNDisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.Thisdevicehas	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HM20N120AB	文件：804.31 Kbytes Page：8 Pages	KEDAPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergyefficiencyforapplication	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM20N120T	文件：968.93 Kbytes Page：9 Pages	H&MNPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM20N120TB	文件：813.96 Kbytes Page：8 Pages	KEDAPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergyefficiencyforapplication	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IHW20N120R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW20N120R	文件：358.29 Kbytes Page：12 Pages	ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode Features: •PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage •Bodydiodeclampsnegativevoltages •TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior •NPTtechnologyoffers	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
NGTB20N120IHTG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
描述：
IGBT 1200V 20A TO247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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