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NGTB25N120IHLWG	文件：175.61 Kbytes Page：9 Pages	Incorporated into the device is a rugged co?뭦ackaged free wheeling diode with a low forward voltage.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB25N120IHLWG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 50A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
25N120	文件：45.88 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)HighspeedIGBT LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DC	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
BRG25N120D	文件：769.42 Kbytes Page：6 Pages	Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
DTGN25N120	文件：1.50879 Mbytes Page：8 Pages	Extremelyenhancedavalanchecapability GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
FGA25N120	文件：1.38861 Mbytes Page：9 Pages	1200V,25ANPTTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGA25N120AN	文件：377.85 Kbytes Page：4 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.5V@IC=25A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FGA25N120AN	文件：460.31 Kbytes Page：7 Pages	IGBT GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheAN seriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS).	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA25N120AN	文件：926.86 Kbytes Page：6 Pages	Highspeedswitching	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FGA25N120AND	文件：567.05 Kbytes Page：8 Pages	IGBT GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANDseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANDseriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Feature	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA25N120ANTD	文件：867.85 Kbytes Page：9 Pages	1200VNPTTrenchIGBT Description UsingFairchild®sproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1200VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation.Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicationsuchasi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA25N120ANTD	文件：658.77 Kbytes Page：9 Pages	1200VNPTTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA25N120ANTD	文件：385.96 Kbytes Page：4 Pages	NPTTrenchIGBT DESCRIPTION ·NPTTrenchTechnology,Positivetemperaturecoefficien ·Extremelyenhancedavalanchecapabilityt ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V(Typ.)@IC=25A APPLICATIONS ·SolarInverter,UPS,Welder,DigitalPowerGenerator ·Telecom,ESS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FGA25N120ANTDTU	文件：1.38861 Mbytes Page：9 Pages	1200V,25ANPTTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGA25N120ANTDTU	文件：786.01 Kbytes Page：9 Pages	1200V,25ANPTTrenchIGBT Description UsingFairchild®sproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1200VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation.Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicationsuchasi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA25N120FTD	文件：815.52 Kbytes Page：9 Pages	1200V,25AFieldStopTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH25N120FTDS	文件：711.13 Kbytes Page：9 Pages	1200V,25AFieldStopTrenchIGBT GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforhardswitchingapplicationsuchassolarinverter,UPS,welderandPFCapplications. Features •HighSpeedSwitching •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.60V@	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW25N120VD	文件：679.74 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/25A Features Lowpowerloss Lowswitchingsurgeandnoise Highreliability,highruggedness(RBSOA,SCSOAetc.) Applications InverterforMotordrive ACandDCServodriveamplifer Uninterruptiblepowersupply	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
HGH25N120A	文件：996.65 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementInsulatedGateBipolarTransistor	HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件	Huashan
HIH25N120TN	文件：870.21 Kbytes Page：8 Pages	1200VNPTTrenchIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

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产品属性

产品编号：
NGTB25N120IHLWG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.3V @ 15V，25A
开关能量：
800µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
-/235ns
测试条件：
600V，25A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 1200V 50A TO247

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