IGBT，N 沟道，600V，20A，饱和压=1.45V，单 TO-3PF-3L

NGTG20N60L2TF1G is N-Channel IGBT 600V, 20A, VCE(sat);1.45V Single TO-3PF-3L • IGBT VCE(sat)=1.45V typ. (IC=20A, VGE=15V)\n• High efficiency\n• IGBT tf=67ns typ.\n• Easy to attach\n• 增强型 (Enhancement type)\n• High reliability\n• 适用全绝缘型封装\n• 最高结温 Tj=175°C;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel IGBT

文件：403.96 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 40A 64W TO-3PF

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel IGBT

文件：444.84 Kbytes 页数：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体