NGTG20N60L2TF1G中文资料IGBT，N 沟道，600V，20A，饱和压=1.45V，单 TO-3PF-3L数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

NGTG20N60L2TF1G is N-Channel IGBT 600V, 20A, VCE(sat);1.45V Single TO-3PF-3L

特性 Features

• IGBT VCE(sat)=1.45V typ. (IC=20A, VGE=15V)
• High efficiency
• IGBT tf=67ns typ.
• Easy to attach
• 增强型 (Enhancement type)
• High reliability
• 适用全绝缘型封装
• 最高结温 Tj=175°C

应用 Application

• 白物家电的功率因数校正
• 通用变频器 (General purpose inverter)
• Air Conditioner
• Clothes washer
• Dishwasher
• AC Servo Motor System

简介

NGTG20N60L2TF1G属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTG20N60L2TF1G晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。