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NGTD17R120F2数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
| 厂商型号 |
NGTD17R120F2 |
| 参数属性 | NGTD17R120F2 封装/外壳为模具；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 1.2KV DIE |
| 功能描述 | Rectifier 1200V 35A FS2 bare die |
| 封装外壳 | 模具 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 17:48:00 |
| 人工找货 | NGTD17R120F2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NGTD17R120F2规格书详情
描述 Description
Rectifier bare die intended for use as IGBT reverse diode
特性 Features
• Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology
• TJmax = 175°C
• Optimized for High Speed Switching
• 10 \u0002µs Short Circuit Capability
• These are Pb−Free Devices
应用 Application
• Solar Inverter
• Uninterruptible Power Inverter Supplies (UPS)
• Welding
简介
NGTD17R120F2属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的NGTD17R120F2二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
：NGTD17R120F2
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：1200
- IC Max (A)
：-
- VCE(sat) Typ (V)
：-
- VF Typ (V)
：1.8
- Eoff Typ (mJ)
：-
- Eon Typ (mJ)
：-
- Trr Typ (ns)
：-
- Irr Typ (A)
：-
- Gate Charge Typ (nC)
：-
- Short Circuit Withstand (µs)
：-
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：-
- Co-Packaged Diode
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
onsemi |
25+ |
模具 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
Die |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SMD |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
模具 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
23+ |
Die |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ON Semiconductor |
2024 |
1446 |
全新、原装 |
询价 | |||
ON Semiconductor |
23+ |
Die |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
