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NGTB50N60S1中文资料IGBT,600 V/50A - 焊接数据手册ONSEMI规格书
NGTB50N60S1规格书详情
描述 Description
NGTB50N60S1
特性 Features
TJmax = 175°C
Soft Fast Reverse Recovery Diode
Optimized for High Speed Switching
5 s Short−Circuit Capability
应用 Application
Inverter Welding
Welding Machine
简介
NGTB50N60S1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB50N60S1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:NGTB50N60S1
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: IGBT 600V/50A - Welding
- V(BR)CES Typ (V)
:600
- IC Max (A)
:Condition: TC = 100°C'>50
- VCE(sat) Typ (V)
:Condition: VGE = 15 V
- VF Typ (V)
:2.1
- Eoff Typ (mJ)
:0.46
- Eon Typ (mJ)
:1.5
- Trr Typ (ns)
:94
- Irr Typ (A)
:8
- Gate Charge Typ (nC)
:220
- Short Circuit Withstand (µs)
:5
- EAS Typ (mJ)
:-
- PD Max (W)
:417
- Co-Packaged Diode
:Yes
- Package Type
:TO-247-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TO-247 |
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ON Semiconductor |
22+ |
TO2473 |
9000 |
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