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NGTB50N60S1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
NGTB50N60S1规格书详情
描述 Description
NGTB50N60S1
特性 Features
TJmax = 175°C
Soft Fast Reverse Recovery Diode
Optimized for High Speed Switching
5 s Short−Circuit Capability
应用 Application
Inverter Welding
Welding Machine
简介
NGTB50N60S1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB50N60S1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：NGTB50N60S1
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： IGBT 600V/50A - Welding
- V(BR)CES Typ (V)
：600
- IC Max (A)
：Condition: TC = 100°C'>50
- VCE(sat) Typ (V)
：Condition: VGE = 15 V
- VF Typ (V)
：2.1
- Eoff Typ (mJ)
：0.46
- Eon Typ (mJ)
：1.5
- Trr Typ (ns)
：94
- Irr Typ (A)
：8
- Gate Charge Typ (nC)
：220
- Short Circuit Withstand (µs)
：5
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：417
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
9600 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
TO247 |
7350 |
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ON/安森美 |
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TO-247 |
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ON/安森美 |
19+ |
TO-247 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
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onsemi |
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TO-247-3 |
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询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2473 |
9000 |
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询价 |
