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NGTB50N60S1中文资料IGBT,600 V/50A - 焊接数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NGTB50N60S1

参数属性

NGTB50N60S1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 50A 600V TO-247

功能描述

IGBT,600 V/50A - 焊接
IGBT 50A 600V TO-247

封装外壳

TO-247-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 13:28:00

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NGTB50N60S1规格书详情

描述 Description

NGTB50N60S1

特性 Features

TJmax = 175°C
Soft Fast Reverse Recovery Diode
Optimized for High Speed Switching
5 s Short−Circuit Capability

应用 Application

Inverter Welding
Welding Machine

简介

NGTB50N60S1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB50N60S1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NGTB50N60S1

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : IGBT 600V/50A - Welding 

  • V(BR)CES Typ (V)

    :600

  • IC Max (A)

    :Condition: TC = 100°C'>50

  • VCE(sat) Typ (V)

    :Condition: VGE = 15 V

  • VF Typ (V)

    :2.1

  • Eoff Typ (mJ)

    :0.46

  • Eon Typ (mJ)

    :1.5

  • Trr Typ (ns)

    :94

  • Irr Typ (A)

    :8

  • Gate Charge Typ (nC)

    :220

  • Short Circuit Withstand (µs)

    :5

  • EAS Typ (mJ)

    :-

  • PD Max (W)

    :417

  • Co-Packaged Diode

    :Yes

  • Package Type

    :TO-247-3

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