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NGTB50N60FLWG数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
NGTB50N60FLWG |
| 参数属性 | NGTB50N60FLWG 封装/外壳为TO-247-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 50A TO247 |
| 功能描述 | IGBT，600 V，50 A，FS1，太阳能/UPS |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 21:28:00 |
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NGTB50N60FLWG规格书详情
描述 Description
此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。
特性 Features
• Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology
• Low Switching Loss
• Soft Fast Reverse Recovery Diode
• Optimized for High Speed Switching
• 5µs Short Circuit Capability
应用 Application
• Solar Inverters
• Uninterruptible Power Supplies(UPS)
简介
NGTB50N60FLWG属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的NGTB50N60FLWG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
NGTB50N60FLWG
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
散装
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，50A
- 开关能量：
1.1mJ（开），600µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
116ns/292ns
- 测试条件：
400V，50A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 600V 50A TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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