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NGTB50N60FLWG	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT，600 V，50 A，FS1，太阳能/UPS 此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。 • Low Saturation Voltage using Trench with Field Stop Technology\n• Low Switching Loss \n• Soft Fast Reverse Recovery Diode\n• Optimized for High Speed Switching\n• 5µs Short Circuit Capability;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB50N60FLWG	文件：187.89 Kbytes Page：10 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 文件：187.89 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB50N60FLWG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 50A TO247	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB50N60FWG	文件：183.8 Kbytes Page：10 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) 文件：183.8 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NGTB50N60SWG	文件：142.62 Kbytes Page：10 Pages	IGBT 文件：142.62 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多NGTB50N60FLWG供应商更新时间2025-10-10 11:12:00