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NGTB50N60FLWG	文件：187.89 Kbytes Page：10 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB50N60FLWG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 50A TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB50N60FWG	文件：183.8 Kbytes Page：10 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGTB50N60SWG	文件：142.62 Kbytes Page：10 Pages	IGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NGTG50N60FWG	文件：176.19 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PJM50N60TE	文件：2.3539 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
RM50N60DF	文件：228.07 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60DFV	文件：1.51858 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)16mΩ@VGS=10V RDS(ON)20mΩ@VGS=4.5V HighdensitycelldesignforultralowRdson Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent GoodstabilityanduniformitywithhighEAS Excellentpackageforgoodheatdissipation	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM50N60IP	文件：484.88 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

产品属性

产品编号：
NGTB50N60FLWG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，50A
开关能量：
1.1mJ（开），600µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
116ns/292ns
测试条件：
400V，50A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 50A TO247

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